دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 )                   جلد 9 شماره 2 صفحات 394-387 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Investigatino of Electrical Conduction Mechanism of Copper Phthalocyanine Thin Film Sandwich Devices (Al/CuPc/Al). Journal title 2010; 9 (2) :387-394
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html
بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس. عنوان نشریه. 1388; 9 (2) :387-394

URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html


چکیده:   (4606 مشاهده)
در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.
متن کامل [PDF 274 kb]   (1128 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی پژوهشی کاربردی |
انتشار: 1389/7/23

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علوم دانشگاه خوارزمی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Quarterly Journal of Science Kharazmi University

Designed & Developed by : Yektaweb