دوره 12، شماره 4 - ( 11-1391 )                   جلد 12 شماره 4 صفحات 676-669 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- هیات علمی دانشگاه شهرکرد
2- دانشجوی ارشد دانشگاه شهرکرد
چکیده:   (7087 مشاهده)
در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک‌نواخت به اتم­های دو جای‌گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می‌پردازیم. محاسبات به‌کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می‌دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی‌که در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده می­شود که مقدار آن به اندازۀ نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسۀ نتایج به‌دست آمده با پژوهش‌های قبلی، می­توان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیداً به‌نحوۀ اتصال الکترودها و کیفیت اتصال­ها وابسته است.
متن کامل [PDF 414 kb]   (2330 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی پژوهشی بنیادی |
انتشار: 1392/8/24

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.