جستجو در مقالات منتشر شده


1 نتیجه برای درصد جوانه زنی

پرویز عبدالمالکی، بهاره ناهیدیان، عاطفه پایز، فائزه قناتی،
دوره 12، شماره 3 - ( 8-1391 )
چکیده

با وجود پژوهش‌های متعدد روی تأثیر میدان­های مغناطیسی بر گیاهان، سازوکار دقیق این اثرات هنوز مشخص نشده است. هدف از این پژوهش مقایسۀ تأثیر میدان­های مغناطیسی بر جوانه­زنی و رشد اولیۀ بذرهای گندم است. بدین منظور بذرهای گندم1 به دو صورت خیسانده شده و خشک به‌مدت 4 روز، هر روز 5 ساعت تحت تیمار میدان مغناطیسی ایستا (SMF 30 میلی‌تسلا) و متناوب (EMF 10 کیلوهرتز) قرار گرفتند. میزان آب‌گیری، درصد و سرعت جوانه­زنی بذرها، رشد دانه­رست، هدایت الکتریکی پوست دانه و غشای دانه­رست اندازه‌گیری شد. نتایج نشان داد که در مقایسه با نمونه­های شاهد در گروه گندم تر، تیمار میدان مغناطیسی اثر معنی‌داری بر درصد جوانه‌زنی بذرها ندارد، ولی سرعت جوانه­زنی، وزن تر، وزن خشک و شاخص توان II را افزایش می‌دهد. میدان مغناطیسی بر طول دانه­رست حاصل از بذرهای خشک اثر مثبت داشت و در بقیۀ موارد اثر افزایشی مشاهده نشد. تیمار با  میدان مغناطیسی سبب کاهش نشت الکتریکی پوست دانه و غشای دانه­رست شد، ولی سبب افزایش آب‌گیری دانه نشد؛ از همین رو، افزایش سرعت جوانه‌زنی و رشد بهتر دانه‌رست­ها احتمالاً به‌دلیل افزایش تمامیت غشا و پوست دانه، افزایش میزان یا فعالیت آنزیم­های دخیل در جوانه­زنی بذرها و یا آنزیم­های آنتی‌اکسیدانت است. اثرات میدان بر بذرهای تر گندم بسیار بهتر از بذرهای خشک است وهم‌چنینSMF نسبت به EMF اثرات بهتری بر جوانه­زنی و رشد دانه‌رست­ها نشان می‌دهد. 

صفحه 1 از 1     

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علوم دانشگاه خوارزمی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Quarterly Journal of Science Kharazmi University

Designed & Developed by : Yektaweb