جستجو در مقالات منتشر شده


1 نتیجه برای Thin Film Behaves As A Semiconductor


دوره 18، شماره 57 - ( 10-1383 )
چکیده

الکترودهای نازک فتالوسیانین(PC ) شامل فلزهای روی، آهن و منیزیم فتالوسیانین به روش نشست در خلأ1 تهیه شده است. انتقال بارالکتریکی ذرات یون‌ها به درون فیلم‌های نازک با روش کرونوکولومتری بررسی گردید. نتایج نشان داد که عمل‌کرد فیلم‌های مزبور همانند الکترودهای نیمه‌هادی است وعمل انتقال بارالکتریکی بر سطح الکترود فتالوسیانین به دو نوع صورت می‌پذیرد. در نوع اول الکترود نازک فتالوسیانین همانند الکترود نیمه‌هادی عمل می‌کند و عمل انتقال بار الکتریکی بر روی سطح فتالوسیانین صورت می‌گیرد. در روش دوم ذرات بار الکتریکی از سطح فیلم به داخل الکترولیت ( نیترات، پرکلرات و یون کلراید) درون فیلم نازک نفوذ می‌کند. ضخامت فیلم نازک تهیه شده محدود بوده و فاکتور مهمی به شمار می‌آید. بنابراین برای ضخامت‌های کمتر از Å100 نفوذ یون‌ها از غشای نازک فتالوسیانین صورت گرفته، و در ضخامت‌های بالاتر از Å100 عمل نیمه هادی بودن مشاهده میشود. ضخامت فیلم نازک فتالوسیانین 100 الی Å 3000 بررسی شدند.

صفحه 1 از 1     

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علوم دانشگاه خوارزمی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Quarterly Journal of Science Kharazmi University

Designed & Developed by : Yektaweb