دوره 18، شماره 55 - ( شماره 1-صفحات فارسی از 1 تا 67 1381 )                   جلد 18 شماره 55 صفحات 9-1 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Comparison of the Electrical Properties of ClAlPc and CuPc thin film Planar Devices. Journal title 2001; 18 (55) :1-9
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html
مقایسه خواص الکتریکی لایه های نازکCIAIP و Cupc. عنوان نشریه. 1381; 18 (55) :1-9

URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html


چکیده:   (3129 مشاهده)
در این کار تحقیقاتی مواد آلی CL.AIPC وCuPc که هر دو از نیمه هادیهای نوع p می باشند. با استفاده از روش تبخیر و به کارگیری کوره درجه حرارت سه مرحله ای، تهیه و خالص سازی شده است. خواص الکتریکی مواد ذکر شده در درجه حرارتهای 300 تا k380 مورد بررسی قرار می گیرد و با به کارگیری گاف انرژی CIAPc وCuPc اندازه گیری شده و با یکدیگر مقایسه می شود. در این تحقیق مشخص شده است که CIAPc دارای گاف انرژی کوچکتری در مقایسه با CuPc می باشد. در درجه حرارتهای بالا محاسبه گاف انرژی با اعمال Biass سیستم و معکوس عدد یکسانی را نشان می دهد در صورتیکه در درجه حرارتهای پائین تغییر بسیار جزئی در گاف انرژی مشاهده شده است.
متن کامل [PDF 398 kb]   (1341 دریافت)    

انتشار: 1380/3/25

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه علوم دانشگاه خوارزمی می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 CC BY-NC 4.0 | Quarterly Journal of Science Kharazmi University

Designed & Developed by : Yektaweb